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日本廠商開發可提高有機EL面板特性氧化物TFT

編輯:hattie 2010-03-10 11:17:24 瀏覽�1368  來源:日經BP�

  用于液晶面板、有機EL面板以及電子紙等顯示面板驅動用途的氧化物半導體TFT的研發越來越活躍。其中,作為驅動有機EL面板的TFT的有力候補,氧化物TFT更是備受關注。與原來采用非晶硅的TFT相比,氧化物半導體TFT的載流子遷移率高�10cm22/Vs,是前者的10倍左右,這樣便容易提高有機EL面板的亮度。另外,氧化物TFT的特性不均現象較小,并且電流的時變也較少。可輕松控制有機EL面板的顯示不均現象,適用于大面積化用途。此外,由于可采用濺鍍法制作,導入時無需大幅改進現有液晶面板的生產線�

  鑒于這些優點,韓國LG顯示器、韓國三星電子、臺灣友達光電(AU ptronics)等韓國及臺灣的大型面板廠商紛紛開始致力于氧化物TFT的開發,日本廠商最近也開始加大開發力度�

  夏普�2009�12月舉辦的顯示器技術國際學會�16th InternationalDisplay Workshops(IDW �09)”上公開了采用氧化物TFT�2.6英寸QVGA�320×240像素)液晶面板。氧化物半導體采用IGZO(In-Ga-Zn-O)�

圖:采用凸版印刷的涂布型氧化物TFT的電子紙試制出采用可進行涂布的氧化物半導體的TFT,成功驅動了電子墨水生產的電子紙(a)。特點是TFT的制造工序中最高溫度僅�270℃(b)。(圖:(a)由凸版印刷提供�

  凸版印刷則致力于采用可進行涂布的氧化物半導體的TFT的開發。通過采用涂布工藝,有望削減制造成本。該公司試制出了制造工序中最高溫度可降至270℃的氧化物TFT。與原來利用涂布工藝制造氧化物TFT相比,“最高溫度要�100℃以上”(該公司)。凸版印刷的TFT是在玻璃底板上制成的,采用旋壓覆蓋(Spin Coat)法對氧化物半導體進行涂布成膜。以柵極絕緣膜為代表,源極等各電極均采用原來的制造工序�

  雖然還比不上濺鍍產品,但涂布成膜的試制品的遷移率�0.5cm2/Vs以上,導�/截止比為105以上,實現了與普通非晶硅TFT相當的特性。其特點是有望用于驅動電子紙及液晶面板。事實上,凸版印刷已利用該試制品,成功驅動了美國電子墨水(E Ink)制造的2英寸電子紙�

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