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LG定今年底明年初試�16納米AP

編輯:admin 2014-07-03 11:04:02 瀏覽�808  來源:中華液晶網

  G電子(LG Electronics)為了強化行動應用處理�(AP)業務,計劃挑�16奈米制程,以提升該公司智慧手機的競爭力,并強化在半導體界的重要性,據傳16奈米晶片將在今年底或明年初交由臺積電(2330)試產�

  韓媒etnews 1日報導,消息人士透露,LG電子�28奈米的Odin晶片之后,再接再厲開�16奈米,預定今年底或明年初臺積電量�16奈米FinFET(鰭式場效電晶�)時,開始投入試產。LG電子先前研發�28奈米晶片,也由臺積電代工,將在第三季或今年底前用于LG智慧手機�

  一般認為,LG電子完全仰賴高�(Qualcomm)供應AP,自行研發是為了分散供應鏈,并取得議價優勀不過內情人士指出,LG電子推動AP業務,是為了中長期開發高� AP晶片,將會持續提升獨立研發的AP性能;要是該公司一如預期順利量�16奈米AP,可望在韓國半導體業更有影響力。三星電子也研發AP,但是近年來三星高階智慧機越來越少采用三星自制AP�

  韓國時報(Korea Times)6�22日報導,LG零件供應商表示,LG電子最近決定將旗下Odin行動應用處理�(AP)�7月延�10月量產,這款晶片僅支援full HD畫質。這名人士透露,Odin晶片原本計劃用于G3,但是G3提前推出,畫質高達quad HD(2k),只好改用高�(Qualcomm)的Snapdragon 801晶片�

  LG電子內部人士指出,Odin八核心晶片有過熱問題,這款晶片采用安謀(ARM)的big.LITTLE架構,以Cortex A15四核搭配低功耗的Cortax A7四核。他表示,LG必須提升Odin晶片效能,支援quad HD畫質,因為智慧機大廠爭相推出quad HD行動裝置。LG最近才并購了SiliconWorks,拓展晶片相關業務�

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