盡管Micro-LED作為下一代顯示技術以其優越的顯示性能得到業內的認可，但在材料、設備以及制程工藝上還不能滿足量產化需求，仍然存在諸多技術挑戰。在2020Micro-LED產業技術峰會上，廣東省半導體產業技術研究院龔政教授�“高密度Micro-LED陣列的制造、巨量轉印及封裝集成”為主題，分享了廣東省半導體產業技術研究院（以下簡稱：廣東半導體研究院）在高分辨率Micro-LED與背板封裝集成、量子點/熒光粉光轉換、巨量轉移設備以及GaN 紅光micro-LED 芯片上的研究進展�
廣東省半導體產業技術研究院教授、學科帶頭人龔政
眾所周知，Micro-LED具有高亮度、對比度、超高分辨率、低功耗、節能、可靠性好、壽命長、響應速度超快、自發光、無需背光源等特點，其功率消耗量約為LCD�10%、OLED�50%，具有較佳的材料穩定性。龔政教授指出，Micro-LED更容易實現高像素密度，兼具發光效率高、體積小、功耗低、壽命長等優點，與其它顯示技術相比在智能手表（手環）、虛擬現實顯示等可穿戴設備領域的競爭優勢明顯�“Micro LED優越的性能還將有助于其在智能移動終端領域與OLED技術競爭�”
在高分辨率Micro-LED顯示驅動方式上，龔政教授表示，無源驅動方式相對比較簡單，但仍然存在諸多技術問題，而有源驅動方式則由晶體管控制每個像素的開啟或者關閉，“這樣意味著Micro-LED必須通過一定的方式集成到TFT背板�”
關于如何將Micro-LED集成到CMOS上？龔政教授介紹，廣東半導體研究院通過bump連接到CMOS基板上，從而實現像素的電氣連接。關于這個凸點形成，他也介紹，類似利用ball bonding 的原理，通過電火花放電在金屬絲尾端形成球，然后通過超聲、加壓方式直接在bonding bad上形成bump，但bump卻不太適合超高分辨率的Micro-LED�
發展高密度Micro-LED顯示器的必要性毋庸置疑，畢竟分辨率越高，顯示效果越好，特別是近眼顯示、VR/AR需要極高分辨率，才能消除格子效應。但龔政教授表示，高分辨率Micro-LED仍然面臨著諸多技術難題：一是光刻是難點，會產生一些壞的Micro-LED，還存在金屬脫落的問題；二是對微加工技術參數敏感，主要體現在尺寸效應、邊緣效應顯著，對Micro-LED的發光效率會產生非常大的影響；三是與背板鍵合集成困難，需要考慮怎么把這么高密度的陣列集成到CMOS上�
在高密度的陣列集成上，龔政教授介紹，廣東半導體研究院采用銦球回流焊，形成高分辨率In凸點。但他也指出，基于In球集成的Active matrix LED /CMOS 顯示器，高密度陣列鍵合也存在不少問題：一是對位困難，易短路、斷路；二是In球高度差，導致bonding過程中受力不均；三是bonding良率65%（藍色）�90%（綠色）正在改進�
在其他集成方式上，他也介紹，各向異性導電膠鍵合不太適合高分辨率、像素尺寸較小的鍵合�“由于Micro-LED的尺寸非常小，而導電顆粒分布不勻容易造成壞點的產生，”而In凸點鍵合、微管鍵合、晶圓級鍵合比較適合像素尺寸小、高分辨率鍵合集成�
在巨量轉移技術上，龔政教授介紹，產業界急需攻關Micro-LED巨量組裝技術，需要從組裝方法和原理上革新，而不是傳統貼片技術的簡單升級。他也介紹，現有轉印技術主要有激光轉移、流體組裝、卷對卷、靜電組裝、磁力等方式，但大多數技術不能同時兼顧轉移良率、效率及成本的問題，離量產仍然有很長的距雀�
龔政教授表示，廣東半導體研究院則采用“黏附性轉印頭+可轉印Micro-LED”的方案，具有成本低、精度高、速度快、多芯片轉移等特點，其自主搭� Micro-LED 轉移設備樣機兼容不同芯片尺寸�5um-1mm）Micro-LED的轉印工藝；兼有手動模式和自動批量轉印模式；印精�+-1um；轉印速度可控；智能、友好控制界面；對抓取和釋放的力進行精確監控；高精度CCD對Micro-LED進行定位�
在具體應用上，龔政教授介紹，廣東半導體研究院主要利用Micro-LED進行透明顯示和柔性顯示器件的應用�
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