12�13日消息光刻機(jī)大廠ASML宣布,與韓國(guó)三星電子簽署備忘錄,將共同投�1萬億韓元在韓�(guó)建立研究中心,并將利用下一代極紫外(EUV)光刻機(jī)研究先�(jìn)半導(dǎo)體制程技�(shù)�
值得一提的是,上�(gè)月初有消息表示,三星電子在五年內(nèi)從ASML采購50套設(shè)備,每套單價(jià)約為2000億韓元,總價(jià)值可�(dá)10萬億韓元�
三星電子�2022�6月推出了全球首�(gè)采用全柵極(GAA)技�(shù)�3納米半導(dǎo)體芯片制程技�(shù)后,三星一直在努力確保能采購更多EUV光刻�(jī),目�(biāo)是使該公司能�2024年上半年�(jìn)入第二代3納米制程技�(shù)�2025年�(jìn)�2納米制程技�(shù),并�2027年�(jìn)�1.4納米半導(dǎo)體制程技�(shù)�(lǐng)域�
正因如此,三星集�(tuán)董事�(zhǎng)李在镕在2022�6月訪問了ASML總部,與ASML�(zhí)行長(zhǎng)Peter Bennink討論了EUV的采購問題,并在同年11月與訪問韓國(guó)的Peter Bennink�(jìn)行了�(jìn)一步會(huì)談。鑒于EUV光刻�(jī)從下訂到交貨的時(shí)間至少需要一年,�(dāng)�(shí)的會(huì)面討論開始在�(xiàn)在開花結(jié)果�
另外,先前ASML也曾�(jīng)表示,計(jì)劃在2023年底前發(fā)表首�(tái)商用High-NA (NA=0.55� EUV光刻�(jī),并�2025年量�(chǎn)出貨。這使得自2025年開始,客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化,切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化,降低制程成本,提高產(chǎn)量。目前,�(yù)� High-NA EUV 曝光季將�(huì)有五大客戶,包括英特爾、臺(tái)積電、三星、美光等�
ASML, High NA EUV量產(chǎn)�(shè)� 2025年正式供�(yīng)
荷蘭ASML將加�(qiáng)極紫外線(EUV)曝光�(jī)�(shè)備的支配力。明年將供應(yīng)0.33鏡頭開口�(shù)(NA:Numerical Aperture)�(shè)�“NXE:3800E”。High NA�0.55 NA�(shè)備將�2025年商�(yè)化�
12�12日,ASML Korea在由thelec主辦�“Advanced Lithography&Patterning Tech Conforence”上公開了“未來10年EUV路線�”(EUV roadmap to the decade)�
EUV曝光�(shè)備由ASML�(dú)家生�(chǎn)。用于制�3nm以上系統(tǒng)半導(dǎo)體和10nm�(jí)DRAM。TSMC、三星電子、英特爾、SK海力士、Micron等是主要客戶�
ASML Korea韓國(guó)鄭振恒常�(wù)稱:“�2018年量�(chǎn)�(shè)備上市到2023年第三季度為止,已經(jīng)交付213�(tái)0.33NA�(shè)備,每臺(tái)每天消化3000張左右的晶圓。這意味著需要具備每天能生產(chǎn)3000張以上的�(shè)備�”
2024年新�(chǎn)品NXE:3800E每小�(shí)可處理多�(dá)220張晶圓。機(jī)器套刻誤�(MMO:Matched Machine Overlay)�0.9nm。與前款�(chǎn)品相比,生產(chǎn)量提�40%� MMO提高�0.2nm�
鄭常�(wù)表示�“為了提高生產(chǎn)效率,不僅提高了晶圓處理速度,還提高了激光照射強(qiáng)度,將測(cè)量傳感器增加到了2�(gè)”�“盡管如此,與2018年首次開�(fā)的設(shè)備相比,每片晶圓的能耗量減少�42%”�
0.55 NA�(shè)備將�2025年開始供�(yīng)�0.55 NA�(shè)備也稱為High NA�(shè)備。目前,所有使�0.33 NA�(shè)備的企業(yè)都確定導(dǎo)�0.55 NA�(shè)備。當(dāng)NA值上升時(shí),可以刻畫出更細(xì)微的電路�
鄭常�(wù)稱:“用于研發(fā)(R&D)�0.55 NA首臺(tái)�(shè)�‘EXE:5000’在第四季度供�(yīng),量�(chǎn)用的0.55 NA�(shè)�‘EXE:5200B’將從2025年開始供�(yīng)。將采取在荷蘭總部組裝由美國(guó)德國(guó)等國(guó)制造的4�(gè)模組并交付的形式�”
EXE:5200B的目�(biāo)�220張MMO 0.8nm每小�(shí)晶圓處理量�
鄭常�(wù)�(bǔ)充稱�“為支持High EV工藝�(zhuǎn)換和光刻�(PR),Mask等生�(tài)系統(tǒng)�(jìn)行的研究也在持續(xù)�(jìn)行。半�(dǎo)體市�(chǎng)雖然目前停滯不前,但2030年將增長(zhǎng)�1萬億美元的規(guī)模,�(duì)此ASML將致力于及時(shí)供應(yīng)�(shè)備�”
�(guān)注我�
公眾�(hào):china_tp
微信名稱:亞威資�
顯示行業(yè)頂級(jí)新媒�
掃一掃即可關(guān)注我�