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日本開發可提高有機EL面板特性氧化物TFT

編輯:hattie 2010-02-08 14:39:43 瀏覽�1081  來源:日經BP�

  用于液晶面板、有機EL面板以及電子紙等顯示面板驅動用途的氧化物半導體TFT的研發越來越活躍。其�,作為驅動有機EL面板的有力候補,氧化物半導體TFT更是備受期待。與原來采用非晶硅TFT相比,氧化物半導體TFT的載流子遷移率高�10cm²/Vs,是前者的10倍左�,這樣就便于提高有機EL面板的亮�。另�,氧化物TFT的特性不均較�,而且電流的時間變化也較少。因�,可輕松抑制有機EL面板的顯示不均現象,適于大面積化用�。另�,由于氧化物TFT可通過濺射法制�,因此導入時無需大幅改變現有的液晶面板生產線� 

  鑒于上述優點,韓國LG顯示器(LG Display)、韓國三星電子(Samsung Electronics)以及臺灣友達光電(AU Optronics)等韓國和臺灣的大型面板廠商紛紛加大氧化物TFT的開發力�,日本廠商則是最近才開始大力開發�

  夏普�2009�12月舉行的顯示器技術國際學會�16th InternationalDisplay Workshops(IDW �09)”上,公開了采用氧化物TFT�2.6英寸QVGA�320×240像素)液晶面�。氧化物半導體采用了IGZO(In-Ga-Zn-O��

  凸版印刷的TFT采用了可進行涂布的氧化物半導體。由于采用了涂布工藝,有望降低制造成�。該公司試制出了將制造工序中的最高溫度降�270℃的氧化物TFT。與采用原來涂布工藝制造的氧化物TFT相比,其最高溫度“要�100℃以上”(凸版印刷�。凸版印刷的試制品是在玻璃底板上制作�,通過旋轉覆蓋(Spin Coat)對氧化物半導體進行涂布成膜。柵極絕緣膜以及源極等各個電極都可采用原來的制造工��

  雖然比不上采用濺射法制造的產品,但凸版印刷的試制品實現了與普通非晶硅TFT同等程度的特�,遷移率超過0.5cm²/Vs,開關比超過105。特點是將電子紙和液晶面板的驅動納入考慮范圍。凸版印刷已經利用該試制品成功地驅動了美國E Ink生產�2英寸電子��

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