2010�2�7日，也就是半�(dǎo)體電路技�(shù)�(guó)際會(huì)議“ISSCC 2010”演講開(kāi)始的前一天，以三維半�(dǎo)體技�(shù)為核心的技�(shù)論壇“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召�(kāi)。其中備受關(guān)注的是韓�(guó)三星電子�(fā)表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星電子從03年開(kāi)始研�(fā)TSV（through silicon via），并探討該�(chǎn)品在DRAM及閃存上的應(yīng)用�
三星表示，尤其是在移�(dòng)DRAM及圖形DRAM方面，TSV的重要性不斷提高。在移動(dòng)DRAM方面�09年前后導(dǎo)入了LPDDR2接口�(chǎn)品（單芯片的�(shù)�(jù)傳輸速度�3.2GB/秒）�2013年前后亮相的新一代移�(dòng)DRAM的單芯片�(shù)�(jù)傳輸速度要求�(dá)�12.8GB/秒。并且，單�(gè)�(nèi)存芯片的耗電量“需要控制在0.5W以下”（三星）。這就要求兼顧�(shù)�(jù)傳輸速度和耗電量，“現(xiàn)有的單端方式的LPDDR2 DRAM�(wú)法實(shí)�(xiàn)。而比較有效的方法是在微處理器芯片上直接層積多�(gè)基于TSV、具有數(shù)百�(gè)輸入輸出端子的DRAM芯片”（三星）。三星稱，這種�(nèi)存系�(tǒng)的TSV�(shù)量超�(guò)1000�(gè)�
�(guān)于圖形DRAM，從兼顧�(shù)�(jù)傳輸速度及耗電量的角度�(lái)看，�(yù)�(jì)在不久的將來(lái)，現(xiàn)有技�(shù)就會(huì)碰到極限。關(guān)于GDDR5接口的新一代產(chǎn)品，三星表示“系�(tǒng)的數(shù)�(jù)傳輸速度要求�(dá)�512GB/秒以上，�(nèi)存容量要求達(dá)�2GB以上”。現(xiàn)有的單端GDDR5 DRAM要想�(shí)�(xiàn)這一要求，“需使用16�(gè)單端子的、數(shù)�(jù)傳輸速度�8Gbit/秒的1Gbit�(chǎn)品，這是不現(xiàn)�(shí)的”（三星）。作為解決對(duì)策，“比較可行的方法是在GPU上層積多�(gè)圖形DRAM，然后利用TSV使其�(shí)�(xiàn)相互連接”（三星）�
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