ASML明年將生�(chǎn)10�(tái)2nm�(shè)� 英特爾已搶下6�(tái)
摘要:近日有消息稱,ASML將于未來(lái)幾�(gè)月內(nèi)推出2nm制程節(jié)�(diǎn)制造設(shè)備,并計(jì)劃在2024年生�(chǎn)10�(tái)2nm�(shè)備,英特爾已采購(gòu)其中6�(tái)。新一代的高數(shù)值孔� (High-NA) EUV光刻�(jī)可以將聚光能力從0.33提高�0.55,能夠獲得更精細(xì)的曝光圖案,用于2nm制程節(jié)�(diǎn)。未�(lái)幾年,ASML希望將這種最新設(shè)備的�(chǎn)能提高至每年20�(tái)�
閱讀�10372023�12�20� 10:52:16