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聯發科下月將推出穿戴設備平臺Aster
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聯發科下月將推出穿戴設備平臺Aster

摘要:受惠于中國和新興市場需求推升,聯發科(2454�4月營�190.97億元,月�9.57%,年�51.9%,�3月創新高,累計前4月營收達651.02億元,年成長高達78.14%。法人看好,下半年還有高單價8核心貢獻,加上LTE進度提前,預期全年每股純益上�30元水準� 聯發科穿�

閱讀�10362014�05�12� 12:09:50
指紋識別+防水 三星Galaxy Tab S曝光
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指紋識別+防水 三星Galaxy Tab S曝光

摘要:雖說自進入2014年后,三星已推出了GalaxyNotePro和GalaxyTabPro兩個系列的多款平板,但他們似乎并不滿足,� 日又一全新GalaxyTabS系列平板被曝光。據悉該新品除了配置超清AMolED屏,還可能支持指紋識別和防水。而具體型號極可能就是之前已曝光多次的SM-T800

閱讀�8752014�05�12� 12:09:50
FPGA首次集成硬核浮點DSP
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FPGA首次集成硬核浮點DSP

摘要:Altera 公司日前宣布� FPGA 浮點DSP性能方面實現了重大突破。該公司首席DSP產品規劃經理Michael Parker稱,Altera是第一家能夠在FPGA中集成硬核IEEE 754兼容浮點運算功能� 可編程邏� 公司,前所未有的提高了DSP性能、邏輯效率和設計效能。根據規劃, 硬核

閱讀�15032014�05�12� 12:09:51
天語四核Touch III為4G加馬力
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天語四核Touch III�4G加馬�

摘要:TouchIII作為天語首款千元4G手機,可以完美覆蓋中國移動的3G/4G網絡,在4G手機陣營中,TouchIII的銷量一直保持著很好的成績。據賽諾中國移動通訊市場報告分析,今�3月份最暢銷4G手機中,天語TouchIII�3.9%的單品市場份額成為國產品牌暢銷亞軍。小編今天分

閱讀�9832014�05�09� 13:18:35
賽普拉斯發布全新16Mb并行nvSRAM系列
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賽普拉斯發布全新16Mb并行nvSRAM系列

摘要:全新nvSRAM系列包括業界最快的高容量NVRAM 以及全球首款支持直接連接到NAND總線控制器的NVRAM� 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM),包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標�1.0接口的器�.。�

閱讀�11122014�05�09� 13:18:35
麥瑞推出超低抖動FUSION晶體振蕩器
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麥瑞推出超低抖動FUSION晶體振蕩�

摘要�5�6日, 麥瑞半導� 公司推出MX55/57FUSION 晶體 振蕩� 時鐘(XO)解決方案。這些器件采用標準�5毫米×7毫米�3.2毫米×5毫米封裝,提供行業領先的170fsrms(12kHz�20MHz)相位抖動性能。這些晶體振蕩器適用于高達840MHz的寬� 頻率 ,支持包�10/40/100G�

閱讀�7692014�05�08� 14:52:31
華為P7正式發布:售價約3898元
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華為P7正式發布:售價約3898�

摘要:華為于北京時間5�7日晚舉行發布會,正式發布的旗下的新旗艦Ascend P7� 作為上一代旗艦產品P6的升級版,P7依然延續了前作輕薄的外觀� 其機身尺寸為139.868.86.5毫米,重�124� 。在外觀上與P6設計相似,仍是鋁合金材質的邊框加機身底部C型圓弧設計的樣式

閱讀�10062014�05�08� 14:52:31
LG公布5.5吋QHD面板擬用于年度旗艦新機
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LG公布5.5吋QHD面板擬用于年度旗艦新�

摘要:【聯合新聞網/記者楊又肇/報導� LGDisplay宣布推出採AH-IPS技術的5.5吋QHD面板,或許將可能應用於預計月底公布的LG G3,也意味新款旗艦機將搭載2K解析度畫質。另外,新款面板採用ultra-slim設計,厚度僅�1.2mm,同時採用窄邊框設計,僅�1.15mm� 此款面板

閱讀�7042014�05�08� 14:52:32
安森美半導體推出180 nm工藝上經過認證的新IP模塊
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安森美半導體推出180 nm工藝上經過認證的新IP模塊

摘要�5�7日,安森美半導體宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術上的經過認證的新的 知識產權 (IP)。這些新的經過認證的電路模塊將幫助安森美半導體� 晶圓代工 �(GDS2)接口客戶把需要硅片重�(re-spin)的風險降至最低,因而幫助降低新設計的開發成本及縮短�

閱讀�7632014�05�08� 14:52:33
東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器
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東芝推出小型SO6封裝的光電耦合�

摘要:東芝公司半導體存儲產品公司日前宣布,該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品“TLP3905”�“TLP3906”即日起投入量甀� 光電耦合器采用不� MOSFET 芯片的光� 繼電� 結構。用戶可通過將光電耦合器與外部可選MOSFET相結合,從而創建一個隔離繼電器�

閱讀�9942014�05�08� 14:52:33

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