如業界預期，三星電子(Samsung Electronics)于前宣布將加碼資本支出，以提升該公司的半導體與平面顯示器制造產能�
根據三星所發表的聲明，該公�2010年資本支出總額將達到18兆韓�(�157億美�)水準，其�8兆韓�(70億美�)將用于研發。此外三星的聲明也指出，隨著投資新生產線，該公司預期�2010年新招募1萬名員工，其中有3,000人屬于半導體業務�4,000人屬于LCD業務�
先前三星透露該公司今年資本支出總額將至少達到8.5兆韓�(74億美�)的資本支出，而新計畫則是光半導體產能的資本支出就高達11兆韓�(96億美�)，LCD制造部分的支出規模則為5兆韓�(43億美�)�
“盡管全球經濟環境與商業狀況仍然具變動性與不確定性，而如果我們積極擴增產能，仍意味著三星未來有取得進一步成長的機會。”三星總裁Kun-Hee Lee在一份聲明中表示�
三星近日也舉行了一座新內存芯片制造廠的動土典禮，該Line-16廠房位于韓國京畿道華城的Nano City Complex園區，預�2011年開始量產，總造價估計�12兆韓�(�50億美�)。該廠占地面積約56萬平方公尺，量產時月產能�2萬片12吋晶圓�
Line-16將是三星�2005年開始營運Line-15廠之后首度興建的新廠，隨著新廠的動工，三星的內存事業群也�2010年度的設備投資金額由原先�5.5兆韓�(�48億美�)，加碼到9兆韓�(�78億美�)�
三星內存業務投資內容包括新建的DRAM、NAND與下一代內存制造廠Line-16，也將擴充現有Line-15的產能，用以制�30奈米等級的DDR3；對Line-15廠的產能擴充，估計可讓三星的30奈米等級DDR3生產比例，在今年底提升至10%以上�
此外三星今年也將在System LSI業務方面投資�2兆韓�(17億美�)，以因應手機與數字電視等產品對系統級芯片(SoC)的強勁需求，同時也強化其晶圓代工業務�
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