全球功率半導體和管理方案領先供應商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提�20V�30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器�，具有極低的導通電� (RDS(on))�
IRL6283M采用超薄�30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只�500μΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使�3.3V�5V�12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損�，使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量�
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示�“StrongIRFET系列經過擴充�，能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲的高效開關的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業領先的導通電�，從而實現無可比擬的功率密度�”
與DirectFET系列的其它器件一�，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計。此�，DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要�，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條�，但這項豁免將于2016年到期�
規格
IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環保封裝，并符合電子產品有害物質管制規� (RoHS) �
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