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晶聯(lián)光電、四豐電子張雪鳳:靶材國(guó)�(chǎn)化新�(jìn)�

編輯:chinafpd 2017-10-12 17:19:33 瀏覽�1575  �(lái)源:未知

  晶聯(lián)光電、四豐電子副總經(jīng)理張雪鳳

  �(zhǎng)期以�(lái),高端靶材供�(yīng)遭國(guó)外企�(yè)壟斷,國(guó)�(nèi)面板�(chǎn)�(yè)鏈缺乏自主性,�(qū)使國(guó)家政策強(qiáng)力支持面板配套材料及�(shè)備的�(guó)�(chǎn)化。在2017中國(guó)�(guó)際OLED�(chǎn)�(yè)大會(huì)上,晶聯(lián)光電、四豐電子副總經(jīng)理張雪鳳詳細(xì)介紹了靶材的�(guó)�(chǎn)化�(jìn)展�

  顯示面板常用靶材

  靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適�(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源,面板常用的靶材主要分為金屬靶材和陶瓷靶材兩種。在顯示面板的制程中,靶材主要用于TFT中的電機(jī)、布線材料或阻擋層材料�

  靶材按外形可分為平面靶材和旋�(zhuǎn)靶材兩種,其中平面靶材在面板PVD制程中正常消耗量�35%-40%,旋�(zhuǎn)靶材則達(dá)�70%以上。張雪鳳介紹,這意味著在工�(yè)�(yīng)用中,旋�(zhuǎn)靶材的建�(shè)效率和使用效率高于平面靶材�

  Mo靶材和ITO靶材分別是金屬靶材和陶瓷靶材的重�(diǎn)。Mo靶材主要用于TFT的柵極、源�(jí)和漏�(jí)金屬電極。以前,ITO靶材生產(chǎn)工藝主要是熱壓燒�(jié)法、注漿燒�(jié)法,�(xiàn)在則是冷壓燒�(jié)法�

  靶材�(guó)�(chǎn)化下游應(yīng)用的情況

  面板已經(jīng)�(jìn)入OLED�(shí)代。目前,中國(guó)的面板產(chǎn)線(含已建、在建、計(jì)劃)�(dá)�42條,其中G8.5以上�(chǎn)線共16條(量產(chǎn)+在建)。在整�(gè)�(chǎn)�(yè)�(fā)展趨�(shì)的帶�(dòng)和引�(dǎo)下,上下游產(chǎn)�(yè)鏈迎�(lái)新的�(fā)展機(jī)遇,

  目前,靶材國(guó)�(chǎn)化已�(jīng)取得一定的�(jìn)展。Mo靶材在下游面板企�(yè)的國(guó)�(chǎn)化采�(gòu)量占比已居于前列;ITO靶材TFT�(guó)�(chǎn)化�(jìn)程則因技�(shù)、品�(zhì)等問(wèn)題未能解決而相�(duì)較慢,但已在2016年實(shí)�(xiàn)“破冰”,現(xiàn)已�(jìn)入G8.5的測(cè)試認(rèn)證階段。其中,BOE的Mo靶、ITO靶、AI靶、Cu靶都已實(shí)�(xiàn)�(guó)�(chǎn)化采�(gòu);CSOT的Mo靶、AI靶和Cu靶已�(shí)�(xiàn)�(guó)�(chǎn)化采�(gòu),ITO靶已啟動(dòng)G8.5�(guó)�(chǎn)化測(cè)試認(rèn)證;天馬的Mo靶和ITO靶已啟動(dòng)�(guó)�(chǎn)化測(cè)試認(rèn)證;TRULY�(shí)�(xiàn)了Mo靶和ITO靶的�(guó)�(chǎn)化采�(gòu)�

  在銷售上,ITO靶材方面,國(guó)�(chǎn)ITO靶材仍以TP、TN、STN為主,TFT高世代線(G8.5及以上)處于�(cè)試階段,G6、G5、G4.5、G2.5均實(shí)�(xiàn)了小批量使用;Mo靶材方面,國(guó)�(chǎn)平面Mo靶已全面替代�(jìn)口,并占較高采購(gòu)比例,而旋�(zhuǎn)靶材仍處于測(cè)試階段�

  張雪鳳認(rèn)為。明年全球ITO靶材的市�(chǎng)需求量將突�2000根,而且�2017年至2019年間全球需求成�(zhǎng)率預(yù)估為5%-7%,這正是ITO靶材�(guó)�(chǎn)化的意義所在�

  �(guó)�(chǎn)靶材的發(fā)展現(xiàn)狀

  目前�(guó)�(chǎn)化靶材的�(chǎn)能已�(jīng)突破2000�/年,但張雪鳳�(rèn)為,靶材�(guó)�(chǎn)化仍有困難�

  陶瓷靶材方面,ITO靶材是資金和技�(shù)密集型產(chǎn)�(yè),目前國(guó)�(chǎn)ITO靶材雖然與�(jìn)口靶材拉�(kāi)了差距,但產(chǎn)能和日韓主流靶材企業(yè)還有差距,而且新型靶材的研�(fā)及量�(chǎn)�(jīng)�(yàn)明顯不足,需要大量的配套資金支持;IZGO靶材起步較晚,且面臨著國(guó)外企�(yè)�(shè)置的專利壁壘,�(jìn)展緩慀�

  金屬靶材方面,Al靶、Cu靶的原材料高純銅錠和鋁錠都掌握在�(guó)外企�(yè)手上;大尺寸鉬合金靶材的研發(fā)、生�(chǎn)能力較弱�

  此外,靶材國(guó)�(chǎn)化還存在一些綜合影響因素。一是面板產(chǎn)線的靶材�(guó)�(chǎn)化導(dǎo)入周期長(zhǎng)、測(cè)試成本高等客觀因素;二是國(guó)�(nèi)靶材�(chǎn)�(yè)尚處于成�(zhǎng)期,�(chǎn)�(yè)�(guī)模與�(guó)外相比還存在差距,抗�(fēng)�(xiǎn)能力相對(duì)較弱�

  張雪鳳對(duì)提升�(guó)�(chǎn)靶材綜合�(jìng)�(zhēng)力提出了一些建議。一是延伸并完善�(chǎn)品供�(yīng)鏈,提高�(guó)�(chǎn)靶材成本控制能力;二是穩(wěn)定產(chǎn)品質(zhì)量,�(kuò)大生�(chǎn)�(guī)模,提高市場(chǎng)抗風(fēng)�(xiǎn)能力;三是緊跟市�(chǎng)新需求,提高企業(yè)新產(chǎn)品的�(kāi)�(fā)能力;四是政府相�(guān)部門的國(guó)�(chǎn)化扶持政策繼�(xù)引導(dǎo)、支持,繼續(xù)推動(dòng)�(chǎn)�(yè)鏈的配套完善�

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