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國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心發(fā)布第八屆中國�(chuàng)新挑�(zhàn)賽新型顯示專題賽

編輯:chinafpd 2023-09-19 17:35:19 瀏覽�1286  來源�

國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心發(fā)布第八屆中國�(chuàng)新挑�(zhàn)賽新型顯�

第一批技�(shù)�(chuàng)新需�

 

第八屆中國創(chuàng)新挑�(zhàn)�(廣東·國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中�)新型顯示專題賽是由科技部指�(dǎo)、科技部火炬中心和廣東省科�(xué)技�(shù)廳共同主辦的以需求為核心促進科技成果�(zhuǎn)化的國家級賽事。根�(jù)《科技部關(guān)于舉辦第八屆中國�(chuàng)新挑�(zhàn)賽的通知》(國科�(fā)火�2023�110號)有關(guān)部署要求,大賽聚�我國新型顯示�(chǎn)�(yè)�(guān)鍵材料和核心裝備兩大卡脖子問�,以解決新型顯示�(chǎn)�(yè)技�(shù)需求為目標(biāo),面向社會公�征集解決方案,通過挑戰(zhàn)”“比拼的方式,擇優(yōu)確定解決方案�

�(jīng)向國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心各�(chuàng)新平�征集�我中�遴選11��(chǎn)�(yè)共�技�(shù)�(chuàng)新需求,面向全國公告,尋求挑�(zhàn)�

  • 技�(shù)需求清�

本批�(fā)布的技�(shù)需求清單共11項,主要涵蓋了半�(dǎo)體顯示領(lǐng)域大模型、量子點材料與器件開�(fā)、反射式顯示�TFT技�(shù)等領(lǐng)域,詳見下表�

 

 

序號

需求編�

需求名�

研究�(nèi)�

�(lián)合開�(fā)目標(biāo)

�(fā)布單�

1

202301-1

半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域知識體系與大模型開�(fā)

1)開�(fā)半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域知識庫

2)開�(fā)半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的評測體系

3)大模型體系的訓(xùn)練與微調(diào)

4)大模型的部署使用、迭代更新及維護

 

以一套專�(yè)系統(tǒng)的形式體�(xiàn), 擬設(shè)立基�(chǔ)及專�(yè)定制版兩個版�, 面向�(lǐng)域內(nèi)使用, 并可開展對外服務(wù)

國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心本�

2

202301-2

高性能藍色量子點材料與器件開發(fā)

1)高性能藍色量子點關(guān)鍵材料開�(fā)

2)藍�QLED器件�(guān)鍵功能材料開�(fā)

3)藍�QLED器件開發(fā)及衰減機制研�

4)藍�QLED打印器件與工藝關(guān)鍵技�(shù)開發(fā)

  • 旋涂藍色QLED器件�CIE.y<0.06, 亮度1000 nitsCE≥12cd/A, LT95≥600h
  • 打印藍色QLED器件�CIE.y<0.06, 亮度1000 nitsCE≥10cd/A , LT95≥300h

國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心本�

 

3

202302-1

電潤濕電子紙用關(guān)鍵氟樹脂材料開發(fā)

1)無定形含氟聚合物合成技�(shù)

2)面向電潤濕顯示無定形含氟聚合物可控�(guān)鍵制備技�(shù)

3)含氟聚合物的放大生�(chǎn)�(guān)鍵技�(shù)

 

  • 介電常數(shù)≥ 2.0
  • 接觸�≥ 120 ± 5°C
  • 透光�≥ 99 %
  • 玻璃化溫度:130~150°C
  • 溶液粘度�100~1000 cps

反射式顯示創(chuàng)新平臺:華南師范大學(xué)

4

202303-1

超高遷移率氧化物TFT開發(fā)

  1. 高遷移率、高�(wěn)定性稀土摻雜氧化物半導(dǎo)體材料、器件、驅(qū)動與集成�(guān)鍵技�(shù)

2)稀土摻雜氧化物TFT器件�(jié)�(gòu)及界面優(yōu)化關(guān)鍵技�(shù)

3)低功耗、高密度像素陣列集成及封裝技�(shù)

  • µ≥100 cm2/V?s, Vth≤ 1.5 V, Ion/Ioff≥108, SS≤200 mV/dec
  • PBTS Delta Vth ≤ 1.0V(測試條�Vgs=20 V, Vds=0.1 V, 溫度=60�
  • NBITS Delta Vth ≤2.0 V(測試條�Vgs=-20 V, Vds=0.1 V,溫�=60 �,白光照射亮�≥6000 nits
  • 最高支持到360Hz動態(tài)刷新率氧化物�(qū)動背�

 

TFT技�(shù)�(chuàng)新平臺:廣州新視界光電科技有限公司,華南理工大�(xué)

5

202304-1

掃描探針顯微及光譜檢測方法與裝置研發(fā)

1)高精度、高效率掃描探針成像�(guān)鍵技�(shù)

2)針尖近場光場分布及光場漩渦理論探究

3)顯示器件材料的振動光譜分析�(guān)鍵技�(shù)

4)顯示器件載流子輸運、復(fù)合過程及機理研究

5)顯示器件輻射發(fā)光、激子衰變過程及機理研究

  • 超分辨掃描探針顯微及光譜檢測�(shè)�1
  • �(shè)備空間分辨率�(yōu)�10nm
  • �(shè)備光譜分辨率�(yōu)�0.1nm

 

顯示裝備�(chuàng)新平臺:季華實驗室�

 

6

202304-2

新型柔�OLED器件空間�ALD封裝技�(shù)開發(fā)

  1. 高均勻性、高致密、高透光、低�(yīng)力�

高速率無機薄膜沉積技�(shù)

2)高速動�(tài)流場控制技�(shù)

 

開發(fā)一套空間型ALD�(shè)�, 封裝薄膜可實�(xiàn)以下性能:

  • 水汽透過�≤ 10-4g/m2/day@100nm
  • 成膜速率≥ 20nm/min
  • 厚度非均勻性< ± 5%@100nm
  • �(nèi)�(yīng)力< ± 100Mpa@100nm
  • 可見光透過� 97%@100nm
  • 臺階覆蓋� 90%

顯示裝備�(chuàng)新平臺:季華實驗室�

 

7

202305-1

PPI FMM Mask開發(fā)

1)高精度FMM Mask基材�InVar合金或鐵鎳合金)開發(fā)技�(shù)

2)高精度FMM Mask圖案化方案(電鍍或激光刻蝕)

3)高精度FMM Mask制作工藝

 

 

像素密度達到1500PPIFMM Mask

 

蒸鍍OLED�(chuàng)新平臺:維信諾科技股份有限公司

 

8

202305-2

顯示用可拉伸�(dǎo)電材料開�(fā)

1)超高拉伸率�(dǎo)電材料開�(fā)

2)適用拉伸顯示低電阻�(guān)鍵技�(shù)開發(fā)

  • 拉伸率:20%~50%,電阻變化率≤ 15%
  • 拉伸回復(fù)�≥ 99%

蒸鍍OLED�(chuàng)新平臺:云谷(固安)科技有限公司

9

202306-1

超高密度GaN

 Micro-LED微顯�

1)高�(zhì)�GaN Micro-LED外延材料生長�(guān)鍵技�(shù)

2)高性能Micro-LED器件的設(shè)計與制備技�(shù)

3Micro-LEDCMOS背板鍵合集成技�(shù)

4)基于硅�CMOSMicro-LED顯示樣機集成技�(shù)

  • 單�GaN Micro-LED像素的臺面尺寸為5μm×5μmmax6μm×6μm),臺面中心間距不大�8μm
  • 0.7吋顯示樣機像素分辨率�1920×1080(像素密度超�3000PPI)、可視角度:80°/80°/80°/80°、亮度不小于300,000 cd/m2
  • Micro-LED樣機可工作溫度:-20�+60�

Micro-LED顯示�(chuàng)新平臺:福州大學(xué)、閩都創(chuàng)新實驗室

 

10

202301-3

基于噴墨打印工藝�Mini-LED顯示封裝技�(shù)開發(fā)

1Mini-LED顯示用打印封裝黑色掩膜材料開�(fā)

2Mini-LED顯示基板、芯片及掩膜材料適配技�(shù)開發(fā)

3)適用于Mini-LED顯示用噴墨打印關(guān)鍵工藝技�(shù)開發(fā)

  • 掩膜厚度�5-50μm
  • 厚度均一性:≤7%@5-20μm≤10%@20-50μm
  • 邊緣線性精度:≤ ± 15μm
  • Mura要求:無線�Mura
  • Mini-LED芯片上表面無墨水材料殘留

國家新型顯示技�(shù)�(chuàng)新中心本部�

 

11

202307-1

激光顯示用高功率藍光半�(dǎo)體激光器

1)大失配異質(zhì)�(jié)激光材料設(shè)計、生長和�(diào)控關(guān)鍵技�(shù)

2)載流子的泄漏抑制、光增益增強與光損耗抑制技�(shù)

3)器件可靠性提升及�(yīng)用技�(shù)

  • 藍光 LD 激光器功率≥ 6W
  • 激光器波長 460nm ± 5nm
  • 激光器壽命≥ 10000h

 

激光顯示創(chuàng)新平臺:中國科學(xué)院理化技�(shù)研究所,杭州中科極光科技有限公司

 

 

二、挑�(zhàn)須知

(一)挑�(zhàn)資格�

遵守國家法律法規(guī)及大賽規(guī)則且具有相應(yīng)研發(fā)能力的高等院校、研究機�(gòu)、企�(yè)和技�(shù)團隊等均可報名參加挑�(zhàn)�

(二)挑�(zhàn)報名�

1、報名前,請來電與大賽承辦方開展技�(shù)對接交流

2�報名材料(詳見附�2《挑�(zhàn)報名表�、附�3中國�(chuàng)新挑�(zhàn)賽聲�通過大賽指定郵箱�[email protected])提�,截止時間為2023�10�逾期不再受理�同時提交WORD版及加蓋公章的PDF掃描件,解決方案一�(jīng)投遞,不予退還�掃描件與紙質(zhì)版須�(nèi)容一致,缺一視為材料不完整,取消�(xiàn)場賽推薦資料� 

3、經(jīng)與大賽承辦方對接后,請參照附�4步驟在中國創(chuàng)新挑�(zhàn)賽官�(wǎng)� http://challenge.chinatorch.gov.cn)完成注冊�

(三)材料郵寄地址及聯(lián)系人

地址:廣東省廣州市黃埔區(qū)光譜中路11號云升科�(xué)�A�

�(lián)系方式:楊東� 15521059006

          莊佳� 18819155538

三、評審機�

專家賽前初選+�(xiàn)場賽專家評審。嚴(yán)格按照客觀、公平、公正、科�(xué)、擇�(yōu)的原則,根據(jù)科技部挑�(zhàn)賽相�(guān)文件要求,通過技�(shù)、承�(dān)能力與工作基�(chǔ)評價等,對挑�(zhàn)者進行綜合排名,評選結(jié)果當(dāng)場公布�

四、大賽獎�

針對�(jīng)挑戰(zhàn)賽達成合作,且取得預(yù)期成果的技�(shù)解決方,給予項目合作資金支持。同時設(shè)置以下獎勵:

  1. 參賽雙方分別頒發(fā)榮譽證書�
  2. 總決賽設(shè)置一等獎3名、二等獎3名、三等獎3名,頒發(fā)獎牌、榮譽證書;
  3. 總決賽獲獎項目優(yōu)先推薦列入國�(chuàng)中心項目庫,擇優(yōu)予以支持�
  4. 獲獎項目�(yōu)先享受科技金融、股�(quán)投資、人才政策等方面支持�
�(biāo)簽:

�(guān)注我�

公眾號:china_tp

微信名稱:亞威資�

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