10�22日消息，中國科學院上海微系統(tǒng)所官方公眾號日前發(fā)布消息，稱魏星研究員團隊�300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展�
制備出了國內第一�300mm射頻（RF）SOI晶圓，實�(xiàn)了從無到有的重大突破�
根據(jù)文章介紹，團隊基于集成電路材料全國重點實驗室300mm SOI研發(fā)平臺，依次解決了300mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現(xiàn)了國�300mm SOI制造技術從無到有的重大突破�
�1. (a) 多晶硅薄膜表面SEM圖片�(b) 多晶硅薄膜近表面電阻率分布；� (c) 多晶硅薄膜及襯底縱向電阻率分�
高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅；硅晶棒在經(jīng)過研磨、拋光、切片后，形成硅晶圓片，也就是所說的晶圓�
目前，RF-SOI晶圓，已�(jīng)成為射頻應用的主流襯底材料，占據(jù)開關、低噪放和調諧器等射頻前端芯�90%以上的市場份額。隨�5G�(wǎng)絡的全面鋪開，移動終端對射頻模塊的需求持�(xù)增加，射頻前端芯片制造工藝正在從200 mm�300mm RF-SOI過渡，借此機會，國內主流集成電路制造企�(yè)也在積極拓展300mm RF-SOI工藝代工能力。因此，300 mm RF-SOI晶圓的自主制備將有力推動國內RF-SOI芯片設計、代工以及封裝等全產(chǎn)�(yè)鏈的�(xié)同快速發(fā)展，并為國內SOI晶圓的供應安全提供堅實的保障�
晶圓作為半導體材料，在微電子技術領域中具有非常廣泛的應用，是芯片、太陽能電池板、LED光源等重要元器件的基礎�
�2. (a) 國內第一�300 mm RF-SOI晶圓�(b) RF-SOI晶圓剖面TEM照片�(c) RF-SOI晶圓頂層硅厚度分布；(d) RF-SOI晶圓表面AFM�
那么晶圓和芯片有什么關系呢？在芯片制造過程中，首先需要將晶圓切割成一定大小的小塊，然后在上面進行電路設計、光刻等工藝步驟，最終形成一個完整的芯片�
晶圓和芯片之間的關系大致可以類比�“大理�”�“雕塑”的關系，晶圓就像是一塊未被雕刻的大理石，而芯片則是在晶圓上按照設計圖案雕刻出來的具有特定功能的結構�
此次實現(xiàn)�300mm 射頻SOI晶圓的自主制備，將有力推動國內RF-SOI芯片設計、代工以及封裝等全產(chǎn)�(yè)鏈的�(xié)同快速發(fā)展，并為國內SOI晶圓的供應安全提供堅實的保障�
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