� �/陜西咸陽 �(fèi)民權(quán)
眾所周知，被�(yè)界稱為第三代顯示的OEL（有�(jī)電致�(fā)光）顯示技�(shù)，近年來�(fā)展迅猛。在市場(chǎng)需求的推動(dòng)下，�(chǎn)�(yè)化技�(shù)得了迅速的提升，未來將�(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)市場(chǎng)�(diào)研機(jī)�(gòu)�(yù)�(cè)顯示，未來五年，OEL的年平均增長(zhǎng)率將�20％以上�
按照�(fā)光材料分類，OEL可分為小分子型（稱為OLED）和高分子型（稱為PLED）兩大類。OLED主要采用真空蒸鍍制作，PLED主要采用旋涂或噴墨打印制作�
按照�(qū)�(dòng)方式分類，OEL可分為無源驅(qū)�(dòng)（稱為PM-OEL）和有源�(qū)�(dòng)（稱為AM-OEL）兩大類。AM-OLED是AM-OEL具有代表性的一種，也是近期研發(fā)與生�(chǎn)的重�(diǎn)�
一、概�
AM-OLED的發(fā)展瓶頸是有源�(qū)�(dòng)陣列（即TFT）的制作技�(shù)。目前，低溫多晶硅（即LTPS）技�(shù)相對(duì)成熟，其激光退火法為應(yīng)用的主流，已�(shí)�(xiàn)�(guī)模化量產(chǎn)，是生產(chǎn)TFT背板的主�(dǎo)技�(shù)�
盡管中國(guó)OLED用有�(jī)�(fā)光材料的研發(fā)起步較晚，但在器件制備與器件�(jié)�(gòu)方面仍處于國(guó)際領(lǐng)先水平。我們已�(jīng)掌握了用真空蒸鍍技�(shù)批量制備有機(jī)薄膜的方法；突破了有�(jī)薄膜印刷制備方面的一些難�(guān)，可�(shí)�(xiàn)用全印刷技�(shù)制備OLED顯示屏�
未來，我們將著眼于突破AM-OLED�(chǎn)�(yè)化瓶頸，全面掌握TFT基板的設(shè)�(jì)、制造和工藝集成技�(shù)，著力提高顯示屏的亮度，延長(zhǎng)其壽命，同時(shí)提升自主生產(chǎn)配套材料與裝備的能力�
二、AM-OLED主要研究的內(nèi)�
AM-OLED主要研究以下三部分的�(nèi)容：
1、顯示屏的量�(chǎn)技�(shù)
� 低溫多晶硅TFT基板的生�(chǎn)工藝技�(shù)�
� 開發(fā)器件的量�(chǎn)技�(shù)和工藝集成技�(shù)�
� 研究量產(chǎn)用器件印刷技�(shù)�
2、器件用材料
� 生產(chǎn)高光效的�(fā)光材料和功能性材料�
� 研發(fā)高品�(zhì)玻璃基板與ITO玻璃的生�(chǎn)技�(shù)�
� 開展TFT靶材生產(chǎn)技�(shù)的研究�
� 研究光刻用化�(xué)材料及特種氣體材料的生產(chǎn)技�(shù)�
3、核心裝�
曝光�(jī)及有�(jī)薄膜蒸鍍?cè)O(shè)備的研發(fā)與生�(chǎn)�
三、AM-OLED�(chǎn)品要�(dá)到的指標(biāo)
1、中小尺寸的量產(chǎn)�(chǎn)品壽命達(dá)�10000小時(shí)以上�
2、白光加彩色濾光片結(jié)�(gòu)的器件亮度達(dá)�250cd/m2�300cd/m2，壽命大�12000小時(shí)�
四、AM-OLED的技�(shù)要求
目前已量�(chǎn)的AM-OLED�(chǎn)線，基本上還停留�4.5世代（即920mm×730mm）以下階段，只可生產(chǎn)中小尺寸�(chǎn)品，而這些量產(chǎn)線均采用低溫多晶硅（即LTPS）技�(shù)，生�(chǎn)技�(shù)相對(duì)成熟�
AM-OLED的TFT技�(shù)要求與性能參數(shù)如下�
1、要求低溫工藝：玻璃基板溫度不高�400 oC�
2、要求TFT均勻型好：均勻性在95%以上�
3、要求TFT電子遷移率高：LTPS的電子遷移率�50cm2�100cm2/V-sec�
4、開�(guān)電流比高：開�(guān)電流比大�106�
5、工作穩(wěn)定時(shí)間長(zhǎng)：臨界電壓不隨著�(shí)間的變化而變化�
五、幾種AM-OLED的TFT基板加工技�(shù)
1、金屬氧化物（即IGZO）TFT
在加工金屬氧化物TFT基板的過程中，通常采用大面積的濺鍍成膜方法，使用該技�(shù)的產(chǎn)品，其電子遷移率�10cm2/V-sec。雖然其電子遷移率小于LTPS的電子遷移率�50cm2�100cm2/V-sec），但仍為非晶硅電子遷移率的10倍以上，完全可以滿足AM-OLED的電流驅(qū)�(dòng)要求�
IGZO的TFT具有制造工藝簡(jiǎn)單（僅需5�6道掩模板即可）；鍍膜可用低溫PVD�(jìn)行；IGZO表面光潔（擊穿電壓高）；無激光晶化過程（均勻性好）等�(yōu)�(diǎn)�
2、低溫多晶硅（即LTPS）TFT
該技�(shù)是一種相�(duì)成熟的技�(shù)，其器件�(jié)�(gòu)如圖2所示�
低溫多晶硅技�(shù)是利用激光晶化的方式，將非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч瑁瑥亩鴮㈦娮舆w移率�0.5cm2/V-sec提高�50cm2�100cm2/V-sec，以滿足OLED電流�(qū)�(dòng)的要求。低溫多晶硅技�(shù)已經(jīng)�(yīng)用于商業(yè)化產(chǎn)品中，其良品率已�(dá)�90%左右，極大的降低了產(chǎn)品成本�
LTPS技�(shù)的缺�(diǎn)是生�(chǎn)工藝較復(fù)雜（使用6�9道掩模板）；初期�(shè)備投入成本高；大尺寸化較困難（受激光晶化工藝所限）；激光晶化造成斑點(diǎn)�(yán)重�
3、非晶硅（即a-Si）TFT
非晶硅TFT是一種普遍使用在TFT-LCD中的成熟技�(shù)，其器件�(jié)�(gòu)如圖3所示�
非晶硅TFT器件�(jié)�(gòu)�(jiǎn)單，它只�1�(gè)薄膜晶體管和1�(gè)存儲(chǔ)電容，適用于電壓�(qū)�(dòng)型器件。但是，OLED屬于電流�(qū)�(dòng)型器件，由于非晶硅的電子遷移率很低，無法滿足電流�(qū)�(dòng)要求，所以，目前在OLED器件中很少使用非晶硅TFT�
4、微晶硅（即μc-Si)TFT
微晶硅TFT所使用的材料及膜層�(jié)�(gòu)與非晶硅TFT相似，但微晶硅的電子遷移率可�(dá)�1cm2�10cm2/V-s，比非晶硅高一些。其器件�(jié)�(gòu)如圖4所示�
微晶硅TFT與非晶硅TFT在溝道區(qū)域所用的材料不同。微晶硅TFT溝道用的是微晶硅層，它可以使用PECVD沉積膜層，也可以用加熱法使非晶硅�(zhuǎn)變成微晶硅。盡管如此，也不能滿足AM-OLED的要求，目前仍在研究階段�
綜上所述，目前，在制作AM-OLED的TFT方面，非晶硅和微晶硅暫時(shí)還不適合，而適合于制作AM-OLED的TFT技�(shù)中，低溫多晶硅最好，金屬氧化物次之�
六、AM-OLED的制備技�(shù)
......
更多精彩�(nèi)容請(qǐng)見《國(guó)際光電與顯示�2011�4月刊，歡迎訂閱！
訂閱咨詢�0755-86149014
�(guān)注我�
公眾�(hào)：china_tp
微信名稱：亞威資�
顯示行業(yè)頂級(jí)新媒�
掃一掃即可關(guān)注我�
�(chǎn)品供�| 雜志期刊| �(xié)�(huì)服務(wù)| 專題�| �(guān)于我�|�(wǎng)站地�|版權(quán)聲明| 廣告服務(wù)
Copyright © 2018 深圳市美嘉投資有限公�. All Rights Reserved 版權(quán)所� 粵ICP�12048185�(hào)-1
中華顯示�(wǎng)所載文章、數(shù)�(jù)僅供參考，使用前務(wù)�(qǐng)仔細(xì)閱讀法律聲明，風(fēng)�(xiǎn)自負(fù)�
媒體合作:0755-86149081 廣告咨詢:0755-86149131 Email:[email protected]
