1.正向電壓下降，暗�
A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻�，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成��
B:一種是電極與資料為非歐姆觸�，首要發(fā)生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位�
別的封裝進程中也能夠形成正向壓下�，首要緣由有銀膠固化不充分�
正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時，經過芯片的電流�，然后體�(xiàn)暗點，還有一種暗光表象是芯片自身�(fā)光功率低，正向壓降正常�
2.難壓焊：（首要有打不�，電極掉落，打穿電極�
A:打不粘：首要因為電極外表氧化或有�
B:有與�(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線層不�，其間以加厚層掉落為��
C:打穿電極：通常與芯片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料（如高紅，紅外芯片）較GAP資料易打穿電極，
D:壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時�，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整�
3.�(fā)光色彩區(qū)別：
A:同一張芯片發(fā)光色彩有顯著區(qū)別首要是因為外延片資料疑�，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區(qū)域組分共同。（組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長）�
B:GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈�，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區(qū)域越�，呈�(xiàn)色彩誤差概念越小，故在M/T作業(yè)中有附近選取法�
C:GAP赤色芯片有的�(fā)光色彩是偏橙黃色，這是因為其發(fā)光機理為直接躍�。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易�(fā)生雜質能級偏移和�(fā)光飽�，發(fā)光是開端�?yōu)槌赛S��
4.閘流體效��
A:�
B:�(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長時呈�(xiàn)了反向夾�，有此表象的
5.反向漏電�
A:緣由：外延資�，芯片制造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流�10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓�
B:不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達一百多�，而普芯片則在十幾二十伏之��
C:外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成�，芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀�。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區(qū)�
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