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LED芯片及器件的分選�(cè)�

編輯:admin 2014-06-25 14:53:00 瀏覽�1204  �(lái)源:

  LED的分選有兩種方法:一是以芯片為基�(chǔ)的測(cè)試分�,二是對(duì)封裝好的LED�(jìn)行測(cè)試分��

 ?�?)芯片的�(cè)試分�

  LED芯片分選難度很大,主要原因是LED芯片尺寸一般都很小,從9mil�14mil�0.22-0.35nm)。這樣小的芯片需要微探針才能夠完成測(cè)試,分選�(guò)程需要精確的�(jī)械和圖像�(shí)別系�(tǒng),這使得設(shè)備的造價(jià)變得很高,而且�(cè)試速度受到限制。現(xiàn)在的LED芯片�(cè)試分選機(jī)�(jià)格約�100�(wàn)元人民幣\�(tái),其�(cè)試速度在每小時(shí)10000只左�。如果按照每�25天計(jì)�,每一�(tái)分選�(jī)的產(chǎn)能為每月5KK�

  目前,芯片的�(cè)試分選有兩種方法:一種方法是�(cè)試分選由同一�(tái)�(jī)器完成,它的�(yōu)�(diǎn)是可***,但速度很慢,產(chǎn)能低;另一種方法是�(cè)試和分選由兩�(tái)�(jī)器完成,�(cè)試設(shè)備記錄下每�(gè)芯片的位置和參數(shù),然后把這些�(shù)�(jù)傳遞到分選設(shè)備上,�(jìn)行快速分�、這樣做的�(yōu)�(diǎn)是快�,但缺點(diǎn)是可***性比較低,容易出�(cuò),因?yàn)樵跍y(cè)試與分選兩�(gè)步驟之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝�(guò)�,而在這�(gè)�(guò)程中,外延片有可能碎�、局部殘缺碎裂或局部殘�,使得實(shí)際的芯片分布與儲(chǔ)存在分選�(jī)里的�(shù)�(jù)不符,造成分選困難�

  從根本上解決芯片�(cè)試分選瓶頸問(wèn)題的�(guān)鍵是改善外延片均勻�。如果一片外延片波長(zhǎng)分布�2nm之內(nèi),亮度的變化�+15%之內(nèi),則可以將這�(gè)片子上的所有芯片歸為一檔(Bin),只要通過(guò)�(cè)試把不合格的芯片去除即可,將大大增加芯片的產(chǎn)能和降低芯片的成�。在均勻性不是很好的情況�,也可以用測(cè)試并�"不合格產(chǎn)品較�"的芯片區(qū)域用噴墨涂抹的方式處理掉,從而快速地得到想要�"合格"芯片,但這樣做的成本太高,會(huì)把很多符合其他客房要求的芯片都做為不合格證的廢品處理,最后核算出的芯片成本可能是市場(chǎng)�(wú)法接受的水平�

 ?�?)LED的測(cè)試分�

  封裝后的LED可以按照波長(zhǎng)、發(fā)光強(qiáng)�、發(fā)光角度以及工作電壓等�(jìn)行測(cè)試分�。其�(jié)果是把LED分成很多檔(Bin)和�(lèi)�,然后測(cè)試分選機(jī)�(huì)自動(dòng)地根�(jù)�(shè)定的�(cè)試標(biāo)�(zhǔn)把LED分裝在不同的Bin盒內(nèi)。由于人們對(duì)于LED的要求越�(lái)越高,早期的分選�(jī)�32Bin,后�(lái)增加�64Bin,現(xiàn)在已�72Bin的商用分選機(jī)。即使這樣,分Bin的LED技�(shù)指標(biāo)仍然�(wú)法滿足生�(chǎn)和市�(chǎng)的需��

  LED�(cè)試分選機(jī)是在一�(gè)特定的工作臺(tái)電流下(�20mA�,對(duì)LED�(jìn)行測(cè)試,一般還�(huì)做一�(gè)反向電壓值的�(cè)試。現(xiàn)在的LED�(cè)試分選機(jī)�(jià)格約�40~50�(wàn)人民�/�(tái),其�(cè)試速度在每小時(shí)18000只左�。如果按照每�25天,每天20小時(shí)的工作時(shí)間計(jì)算,每一�(tái)分選�(jī)的產(chǎn)能為每月9KK�

  大型顯示屏或其他高檔�(yīng)用客�,對(duì)LED的質(zhì)量要求較�。特別是在波�(zhǎng)與亮度一致性的要求上很?chē)?yán)�。假�LED封裝廠在芯片采購(gòu)�(shí)�(méi)有提出嚴(yán)格的要求,則這些封裝廠在大量的封裝后�(huì)�(fā)�(xiàn),封裝好的LED中只有很少數(shù)量的�(chǎn)品能滿足某一客戶的要求,其余大部分將變成�(cāng)�(kù)里的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在采購(gòu)LED芯片�(shí)提出�(yán)格的要求,特別是波長(zhǎng)、亮度和工作�(tái)電壓的指�(biāo);比如,�(guò)去對(duì)波長(zhǎng)要求

  �+2nm,而現(xiàn)在則要求�+1nm,甚至在某些�(yīng)用上,已提出+0.5nm的要�。這樣�(duì)于芯片廠就產(chǎn)生了巨大的壓力,在芯片銷(xiāo)售前必須�(jìn)行嚴(yán)格的分選�

  從以上關(guān)于LED與LED芯片分選取的分析中可以看�,比較經(jīng)�(jì)的做法是�(duì)LED�(jìn)行測(cè)試分�。但是由于LED的種�(lèi)繁多,有不同的形式,不現(xiàn)的形狀,不同的尺寸,不同的�(fā)光角度,不同的客戶要求,不同的應(yīng)用要求,這使用權(quán)得完全通過(guò)LED�(cè)試分選取�(jìn)行產(chǎn)品的分選變得很難操作。而且目前LED的應(yīng)用主要分布在幾�(gè)波長(zhǎng)段和亮度段的范圍,一�(gè)封裝廠很難準(zhǔn)備全部客戶需要的各種形式和種�(lèi)的LED。所以問(wèn)題的�(guān)鍵又回到MOCVD的外延工藝過(guò)�,如何生�(zhǎng)出所需波長(zhǎng)及亮度的LED外延片是降低成本的關(guān)鍵點(diǎn),這�(gè)�(wèn)題不解決,LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前,比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片分選問(wèn)��

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