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淺析LED外延片質(zhì)量辨別方�

編輯：admin 2014-06-25 14:52:58 瀏覽�1352  �(lái)源：

　　外延片的生產(chǎn)制作�(guò)程是非常�(fù)雜，展完外延片，接下�(lái)就在每張外延片隨意抽取九�(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波�(zhǎng)偏短或偏�(zhǎng)�)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N�)，接下來(lái)就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根�(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度�(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形�LED晶片(方片)。然后還要�(jìn)行目�(cè)，把有一�(diǎn)缺陷或者電極有磨損的，分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶。此�(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些參�(shù)不符合要�)，就不用�(lái)做方片，就直接做電極(P極，N�)，也不做分檢了，也就是目前市�(chǎng)上的LED大圓�(這里面也有好東西，如方片�)�

　　半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si�(PW)和外延Si片作為IC的原材料�20世紀(jì)80年代早期�(kāi)始使用外延片，它具有�(biāo)�(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表�/近表面缺陷�

　　歷史上，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2�20μm，而襯底Si厚度�610μm(150mm直徑片和725μm(200mm�)�

　　外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片，也可加工單片。單片反�(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延�(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少)；這種外延片用�150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重�200mm�(chǎn)品的生產(chǎn)�

　　外延�(chǎn)�

　　外延�(chǎn)品應(yīng)用于4�(gè)方面，CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半�(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS�(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域，并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存�(chǔ)器和DRAM(�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�)。分立半�(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇異�(exotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品，它們要用非Si材料，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件�(nèi)�?fù)诫s區(qū)�(jìn)行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的�

　　目前�200mm晶片中，外延片占1/3�2000年，包括掩埋層在�(nèi)，用于邏輯器件的CMOS占所有外延片�69%，DRAM�11%，分立器件占20%。到2005年，CMOS邏輯將占55%，DRAM�30%，分立器件占15%�

　　LED外延片：襯底材料

　　襯底材料�半導(dǎo)體照明產(chǎn)�(yè)技�(shù)�(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技�(shù)、芯片加工技�(shù)和器件封裝技�(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技�(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九�(gè)方面�

　　1，結(jié)�(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)�(gòu)相同或相近、晶格常�(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小�

　　2，界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng)�

　　3，化�(xué)�(wěn)定性好，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕；

　　4，熱�(xué)性能好，包括�(dǎo)熱性好和熱失配度小�

　　5，導(dǎo)電性好，能制成上下�(jié)�(gòu)�

　　6，光�(xué)性能好，制作的器件所�(fā)出的光被襯底吸收小；

　　7，機(jī)械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等；

　　8，價(jià)格低廉；

　　9，大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋�

　　襯底的選擇要同時(shí)滿足以上九�(gè)方面是非常困難的。所以，目前只能通過(guò)外延生長(zhǎng)技�(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來(lái)適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生�(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有三種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底以及Si襯底�

　　�(píng)�(jià)襯底材料必須綜合考慮下列因素�

　　1.襯底與外延膜的結(jié)�(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)�(gòu)相同或相近、晶格常�(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低�

　　2.襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過(guò)大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降，還會(huì)在器件工作過(guò)程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞；

　　3.襯底與外延膜的化�(xué)�(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)�(wěn)定性，在外延生�(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因?yàn)榕c外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜�(zhì)量下降；

　　4.材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)�(yè)化發(fā)展的需要，襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸�

　　�(dāng)前用于GaN基LED的襯底材料比較多，但是能用于商品化的襯底目前只有三種，即�(lán)寶石和碳化硅以及硅襯底。其它諸如GaN、ZnO襯底還處于研�(fā)階段，離�(chǎn)�(yè)化還有一段距雀�

　　氮化�

　　用于GaN生長(zhǎng)的最理想襯底是GaN單晶材料，可大大提高外延膜的晶體�(zhì)量，降低位錯(cuò)密度，提高器件工作壽命，提高�(fā)光效率，提高器件工作電流密度。但是制備GaN體單晶非常困難，到目前為止還未有行之有效的辦法�

　　氧化�

　　ZnO之所以能成為GaN外延的候選襯底，是�?yàn)閮烧呔哂蟹浅ｓ@人的相似之處。兩者晶體結(jié)�(gòu)相同、晶格識(shí)別度非常小，禁帶寬度接近(能帶不連續(xù)值小，接觸勢(shì)壘小)。但是，ZnO作為GaN外延襯底的致命弱�(diǎn)是在GaN外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中易分解和腐蝕。目前，ZnO半導(dǎo)體材料尚不能用來(lái)制造光電子器件或高溫電子器件，主要是材料質(zhì)量達(dá)不到器件水平和P型摻雜問(wèn)題沒(méi)有得到真正解決，適合ZnO基半�(dǎo)體材料生�(zhǎng)的設(shè)備尚未研制成功�

　　�(lán)寶石

　　用于GaN生長(zhǎng)最普遍的襯底是Al2O3。其�(yōu)�(diǎn)是化�(xué)�(wěn)定性好，不吸收可見(jiàn)光、價(jià)格適中、制造技�(shù)相對(duì)成熟。導(dǎo)熱性差雖然在器件小電流工作中沒(méi)有暴露明顯不足，卻在功率型器件大電流工作下問(wèn)題十分突出�

　　碳化�

　　SiC作為襯底材料�(yīng)用的廣泛程度僅次于藍(lán)寶石，目前中�(guó)的晶能光電的江風(fēng)益教授在Si襯底上生�(zhǎng)出了可以用來(lái)商業(yè)化的LED外延片。Si襯底在導(dǎo)熱性、穩(wěn)定性方面要�(yōu)于藍(lán)寶石，價(jià)格也�(yuǎn)�(yuǎn)低于�(lán)寶石，是一種非常有前途的襯底。SiC襯底有化�(xué)�(wěn)定性好、導(dǎo)電性能好、導(dǎo)熱性能好、不吸收可見(jiàn)光等，但不足方面也很突出，如�(jià)格太高，晶體�(zhì)量難以達(dá)到Al2O3和Si那么好、機(jī)械加工性能比較差，另外，SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來(lái)研發(fā)380納米以下的紫外LED。由于SiC襯底有益的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，可以較好地解決功率型GaNLED器件的散熱問(wèn)題，故在半導(dǎo)體照明技�(shù)�(lǐng)域占重要地位�

　　同藍(lán)寶石相比，SiC與GaN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，SiC具有�(lán)色發(fā)光特性，而且為低阻材料，可以制作電極，使器件在包裝前�(duì)外延膜�(jìn)行完全測(cè)試成為可能，增強(qiáng)了SiC作為襯底材料的競(jìng)�(zhēng)力。由于SiC的層狀�(jié)�(gòu)易于解理，襯底與外延膜之間可以獲得高�(zhì)量的解理面，這將大大�(jiǎn)化器件的�(jié)�(gòu)；但是同�(shí)由于其層狀�(jié)�(gòu)，在襯底的表面常有給外延膜引入大量的缺陷的臺(tái)階出�(xiàn)�

　　�(shí)�(xiàn)�(fā)光效率的目標(biāo)要寄希望于GaN襯底的LED，實(shí)�(xiàn)低成本，也要通過(guò)GaN襯底�(dǎo)致高效、大面積、單燈大功率的實(shí)�(xiàn)，以及帶�(dòng)的工藝技�(shù)的簡(jiǎn)化和成品率的大大提高。半�(dǎo)體照明一旦成為現(xiàn)�(shí)，其意義不亞于愛(ài)迪生�(fā)明白熾燈。一旦在襯底等關(guān)鍵技�(shù)�(lǐng)域取得突破，其產(chǎn)�(yè)化�(jìn)程將�(huì)取得�(zhǎng)足發(fā)展�

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