藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉(zhuǎn)印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子�、p型GaN晶體�
藤岡表示，很早以前就開始開發(fā)利用濺射法制作LED的技��“還沒有發(fā)布過這些技術的詳細�(nèi)容，只是在累積經(jīng)�”�
另外，藤岡研究室還在2008年開�(fā)出了在石墨片材上�“脈沖激勵沉積法（PXD�”形成GaN晶體的技��
此次在可稱得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實際發(fā)�。據(jù)介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色�(fā)光的LED�
目前還無法檢測白色發(fā)光的�(fā)光效率，以及單色狀�(tài)下的外部量子效率，正在對極低溫條件下的內(nèi)部量子效率進行評估。藤岡教授表��“與藍寶石基板上制作的LED相比，內(nèi)部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將�(nèi)部量子效率提高至與現(xiàn)有LED相當?shù)乃�?/p> jQuery('.').html(); if('0' > 0){ var userid = ''; var page = '';
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