堺顯示器產品公司（SDP）在使用全球最大尺寸（2880mm×3130mm）玻璃基板的該公司第10代液晶工�，成功試制了低溫多晶硅（LTPS）TFT液晶面板。該公司在日前舉行的顯示器學�“SID 2016”的開發人員見面會上首次公開了試制品。據介紹，這是在堺工廠制作的第一款低溫多晶硅TFT液晶面板，屏幕尺寸為19.5英寸，像素數�4K�3840×2160�，精細度�226ppi�
SDP計劃2017年初開始制造采用該技術的柵極驅動電路一體型8K高精細（326ppi）液晶面�。此次發布的LTPS技術設想在堺的�10代工廠導�，用于量�8K等大型高精細液晶電視和大型有機EL電視使用的面板。據介紹，從現有的非晶硅TFT工廠進行轉換所需的追加投資成本較�，還有望實現高生產效�。追加投資成本只有向采用以往技術的LTPS TFT生產線轉換時�1/9，向IGZO TFT生產線轉換時�1/2�
那么，為何采用LTPS�？原因是，與現在的大型面板使用的非晶硅TFT相比，LTPS TFT的載流子遷移率高，容易驅�8K等高精細液晶面板和元件通電的有機EL面板。不�，LTPS此前只被用于利用�6代以下基板制造的中小型面�。原因在于制造裝置。LTPS是通過向大型液晶面板使用的非晶硅膜照射激光進行退火，使熔化的硅重新結晶制作而成�。但以往的激光退火技術沒有支持第10代大型玻璃基板的裝置，最多只能支持第6代基板�
因此，SDP導入了能支持�10代大型玻璃基板的全新激光退火技�，也就是能夠精密地局部照射激光的局部激光退火技�。該公司把利用該技術制作的多晶硅稱�“PLAS（Partial Laser Anneal Silicon�”。現在的LTPS工廠都是采用通過光束線對整面基板進行退火的準分子激光退火技��
局部激光退火技術的特點�，無需像以往技術那樣向整面基板照射激�，因此激光退火工序的處理時間可以縮短一位數。另外，以往的LTPS采用頂柵結構，而采用局部激光退火技術的LTPS可以直接使用非晶硅TFT的底柵結�。而且無需導入像IGZO那樣的新材料。因此，堺第10代工廠等非晶硅TFT生產線實�“LTPS�”�，優點是追加的成膜工序、光刻工序以及相應的制造裝置比較少�
利用局部激光退火技術制作的LTPS TFT的載流子遷移率遠遠高于非晶硅，與IGZO為同等水�。利用第2.5代試產線制作的TFT的載流子遷移率為28.1cm2�
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