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本文介紹了AMOLED的生產中的金屬氧化物技術、低溫多晶硅技術、非晶硅技術、微晶硅技術、有機膜蒸鍍技術、光射出方式技術,并對其優缺點進行了分析。 

金屬氧化物技術（Metal oxide TFT)

這種生產技術目前被很多企業看好，并認為是將來大尺寸AMOLED技術路線的首選，各個公司也有相應的大尺寸樣品展出。  

該技術TFT基板在加工過程中，可采取液晶行業中常見的、成熟的大面積的濺鍍成膜的方式，氧化物為InGaO3(ZNO)5，盡管這種器件的電子遷移率較LTPS技術生產出來的產品要低，基本為10 cm2/V-sec，但這個遷移率參數為非晶硅技術器件的10倍以上，該器件電子遷移率完全能夠滿足AMOLED的電流驅動要求，因此可以應用于OLED的驅動。  

低溫多晶硅技術（LTPS TFT)

該技術和非晶硅技術主要的區別是利用激光晶化的方式，將非晶硅薄膜變為多晶硅，從而將電子遷移率從0.5提高到50-100 cm2/V-s，以滿足OLED電流驅動的要求。  

該技術經過多年的商業化量產，產品性能優越，工作穩定性好，同時在這幾年的量產中，其良品率已得到很大的提高，極大的降低了產品成本。  

從LTPS的工藝流程可以看出，其和非晶硅技術的主要區別是增加了激光晶化過程和離子注入過程，其它的加工工藝基本相同，設備也和非晶硅生產有相通之處。  

低溫多晶硅技術LTPS最初是日本北美的技術企業為了降低Note-PC顯示屏的能耗，令Note-PC顯得更薄更輕而研發的技術，大約在九十年代中期這項技術開始走向試用階段。

由LTPS衍生的OLED也于1998年正式走上實用階段，它的最大優勢在于超薄、重量輕、低耗電，同時其自身發光的特點，因而可以提供更艷麗的色彩和更清晰的影像，而更為重要的是：生產成本只有普通液晶面板的1/3。

作為最初研發的初衷，低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體可在玻璃基板上嵌入驅動元件，大幅減少并保留驅動IC的空間，因而可以使薄膜電晶體的尺寸更小，并同時增加顯示器的亮度并減少功率消耗，從而大大提升液晶性能及可靠度，也使面板的制造成本降低，具有更高的解析度。

LTPS所提供的TFT主動矩陣驅動以及驅動電路和TFT可同時整合制造，可在保持輕薄化優勢情形下，解決解析度不足的問題(因為電子在多晶矽的傳輸速度較快品質也較優良)，可以使2.5寸的面板具備200ppi的高解析度。

另外，晶化的技術也有很多種，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的晶化技術還有：SLS、YLA等，有的公司也在利用其它的技術研發AMOLED的TFT基板，例如金屬誘導晶化技術，也有相應的樣品展出，但這一技術的主要問題是金屬會導致膜層間的電壓擊穿，漏電流大，器件穩定性無法保證（由于AMOLED器件是特別薄的，各層間加工時保證層面干凈度，防止電壓擊穿是重要的一項課題）。 

優點

1、把驅動IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強

2、 反應速度更快，外觀尺寸更小，聯結和組件更少

3、 面板系統設計更簡單

4、 面板的穩定性更強

5、 解析度更高

缺點

生產工藝比較復雜，使用的Mask數量為6—9道，初期設備投入成本高。  

受激光晶化工藝的限制，大尺寸化比較困難，目前最大的生產線為G4.5代。  

激光晶化造成Mura嚴重，使用在TV面板上，會造成視覺上的缺陷。

非晶硅技術（a-Si TFT)

a-Si技術在液晶領域成熟度高，其器件結構簡單，一般都為1T1C（1個TFT薄膜晶體管電路，1個存儲電容），生產制造使用的Mask數量為4—5，目前也有廠家在研究3Mask工藝。  

另外，采用a-Si技術進行AMOLED的生產，設備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設備，初期投入成本低。  

再者，非晶硅技術大尺寸化已完全實現，目前在LCD領域已做到100寸以上。  

雖然在LCD領域，a-Si技術為主流，但OLED器件是電流驅動方式，a-Si器件很低的電子遷移率無法滿足這一要求，雖然也有公司（例如加拿大的IGNIS）在IC的設計上進行了一些改善，但目前還無法從根本上解決問題。

LTPS技術主要技術瓶頸在晶化的過程，而a-Si技術雖然制造過程沒有技術難題，但匹配的IC的設計難度要高得很，而且目前IC廠商都是以LTPS為主流，對a-Si用IC的開發投入少，因此如果采用a-Si技術進行生產，則IC的來源是一個嚴重的瓶頸和掣肘，另外器件的性能將會大打折扣。  

微晶硅技術

微晶硅技術在材料使用和膜層結構上，和LCD常見的非晶硅技術基本上是相同的，的電子遷移率可達到1—10 cm2/V-s。

這種技術雖然也能達到驅動OLED的目的，但由于其電子遷移率低，器件顯示效果差，目前選擇作為研究方向的廠家較少。  

通過對各種TFT技術比較，我們可以看出，LTPS技術主要的優點是電子遷移率極高，完全滿足OLED的驅動要求，而且經過幾年的商業化生產，良品率已達到90%左右，生產成熟度高。主要的問題是初期設備投入成本高，大尺寸化比較困難。  

金屬氧化物技術電子遷移率雖然沒有LTPS高，但能夠滿足OLED的驅動要求，并且其大尺寸化比較容易。主要的問題是穩定性差，沒有成熟的生產工藝。  

微晶硅和非晶硅技術雖然相對簡單，容易實現大尺寸化，并且在目前LCD生產線上可以制造，初期的投入成本較低，但其主要的問題是電子遷移率低的問題，適合LCD的電壓驅動，而不適用OLED的電流驅動模式，并且在OLED沒有成熟的生產經驗，器件穩定性和工藝成熟性無法保證。  

有機膜蒸鍍技術路線選擇

有機層形成方式，可分為傳統方式和新型方式。傳統方式是以氣相沉積技術為基礎的，而新興方式是以轉印和印刷技術為基礎的。

新興方式中轉印技術由三星和3M聯合開發和研制；印刷技術主要由愛普生開發和研制。這兩種方法最大的優點是提高材料使用率和簡化生產制程，但其技術和材料具有一定的壟斷性，目前還不具備量產的能力。  

傳統的氣相沉積方法也就是我們通常所講的CVD，對于有機材料的蒸發，按照蒸發源的不同和蒸發方式的不同又分為點源式、線源式及OVPD(有機氣相沉積)。  

OVPD(有機氣相沉積)是由德國愛思強公司研發，該工藝設計改進了可生產性，相對于蒸鍍技術可以降低制造成 本。具有優越的重復性和工藝穩定性以及顯著的膜層均勻性和摻雜的精確控制，為高良率批量生產奠定了基礎，同時減少了維護和清潔要求，從而降級了材料消耗，具有提高材料利用率的巨大潛力。  

OVPD方式具有較好的優越性，由非OLED生產商研制，面向廣大的OLED生產商，是業界較為看好的生產技術和設備。但是該設備目前存在兩個問題：  

1目前成熟的設備僅可以制作370×470的尺寸，還無法滿足大尺寸生產的要求。2該設備目前對單色器件有較好的可靠性，但全彩的穩定性還不夠理想。

目前來看，點源技術日本TOKKI公司較為優秀，線源技術日本ULVAC公司較為優秀。

光射出方式技術路線選擇

目前OLED器件有兩種光出射方式：底發光和頂發光，下表是這兩種方式的對比：    

底發光技術工藝成熟，選擇風險小，甚至沒有風險。頂發光制作工藝有兩個難點，一是陰極制作，另一個就是封裝方式。盡管頂部發光困難尚存，但已是趨勢所在（最少在背板材料沒有新的突破下）。

但從長遠看，如果背板材料有了新的突破，如遷移率和均勻性得到質的改善，那么底發光就有更低成本的優勢。總體而言，采用a-Si背板，頂發光是較好的選擇，P-Si背板就可以考慮底發光方式。