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　　1、G工程

　　成膜工程——G層Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)

PR曝光工程——G-Mask PR曝光

刻蝕工程——G層濕刻

剝離

2、D/I工程

　　成膜工程——PCVD （SiNx）

成膜工程——PCVD （3層CVD）

成膜工程——D層 Sputter (Cr)

PR曝光工程——D-Mask PR曝光

刻蝕工程——D層濕刻1

Island干刻

D層濕刻2

Channel干刻

剝離工程——剝離

3、C工程

　　成膜工程——PECVD (SiNx)

PR曝光工程——C-Mask PR曝光

刻蝕工程——Contact Hole干刻

剝離

4、PI工程

　　成膜工程——Sputter （ITO）

PR曝光工程——PI-Mask PR曝光

刻蝕工程——ITO濕刻

剝離

5、ARRAY工藝介紹

　　洗凈：清潔基板表面，防止成膜不良

　　濺射（SPUTTER)：成Gate膜、D/S膜和Pixel膜

　　PECVD：成a-Si膜和SiNx膜

　　PR/曝光：形成與MASK圖案相一致的光刻膠圖案

　　濕刻（WE)：刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的金屬膜

　　干刻（DE)：刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的非金屬膜

　　剝離：去掉殘余的光刻膠

　　退火：修復(fù)晶體損傷，改善晶體性質(zhì)

　　檢查修復(fù)：監(jiān)控產(chǎn)品不良，修復(fù)不良

　　5.1 洗凈

5.2 洗凈方法及原理概述

#p#分頁標(biāo)題#e#

5.3 Sputter

　　濺射( Sputter )是指利用電場加速的氣體離子對靶材的轟擊，使成膜材料從靶材轉(zhuǎn)移到基板的物理成膜方法。

　　Sputter在工藝流程中的位置：

TFT中Sputter薄膜的種類和作用：

G配線：Al，傳遞掃描信號

　　D配線：Cr，傳遞數(shù)據(jù)信號

　　像素電極：ITO，存儲數(shù)據(jù)信號

　　5.4 Sputter設(shè)備

5.5 PECVD

　　G-絕緣膜：SiNx，絕緣

　　a-Si：非晶硅，導(dǎo)電溝道

　　n+a-Si：N摻雜非晶硅，歐姆接觸

　　PA-SiNx：SiNx，保護(hù)

5.6 PR/曝光

　　由洗凈、涂覆、曝光、顯影四大部分組成。

　　洗凈： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k

　　涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→減壓干燥→端面清洗→前烘

　　曝光

　　顯影：顯影1→顯影2→循環(huán)純水Spray→直水Spray→A/K →后烘

↓↓

5.7 顯影

5.8 濕刻

　　濕刻的目的

　　濕刻是通過對象材料（一般為金屬導(dǎo)電膜）與刻蝕液之間的化學(xué)反應(yīng)，對對象材料進(jìn)行刻蝕的過程。

　　在TFT-LCD工藝中，主要是對Gate層（Mo/Al）、Drain層（Cr）及像素層（ITO）進(jìn)行刻蝕。

濕刻設(shè)備概要

濕刻裝置的構(gòu)成

　　Etching槽：對基板進(jìn)行刻蝕處理

　　水洗槽：通過純水將刻蝕液沖洗

　　干燥槽：用A/K干燥基板

　　5.9 干刻

干刻原理：

　　反應(yīng)氣體在高頻電場作用下發(fā)生等離子體（Plasma）放電。

　　等離子體與基板發(fā)生作用將沒有被光刻膠掩蔽的薄膜刻蝕掉。

干刻裝置：

大氣Robot——從Cassette和L/L之間的搬送

　　L/L (Load Lock)——大氣壓和真空兩種狀態(tài)之間的切換

　　T/C (Transfer Chamber)——L/L和P/C之間的搬送。防止不純物進(jìn)入P/C，P/C內(nèi)的特氣外泄

　　P/C (Process Chamber)——真空中進(jìn)行Plasma的物理、化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)行刻蝕

　　5.10 剝離

　　剝離簡介：刻蝕（干刻、濕刻）完成后除去光刻膠的過程。

剝離裝置示意圖：

剝離槽：利用剝離液溶解并剝離光刻膠

　　IPA槽：利用IPA置換剝離液。（防止Al腐蝕）

　　水洗槽：用純水洗凈處理液

　　干燥槽：利用A/K干燥基板

　　5.11 熱退火

　　經(jīng)過適當(dāng)時(shí)間的熱處理，修復(fù)晶體損傷，改善晶體性質(zhì)。

6 4Mask工藝PR后像素照片