LED芯片壽命試驗過程全解�
摘要:LED 具有體積�,耗電量低、長壽命環保等優點,在實際生產研發過程中,需要通過壽命試驗� LED芯片 的可靠性水平進行*價,并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水�,以保證LED芯片質量� 1、引言 作為電子元器�� 發光二極� (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀�10832014�06�25� 14:53:00摘要:LED 具有體積�,耗電量低、長壽命環保等優點,在實際生產研發過程中,需要通過壽命試驗� LED芯片 的可靠性水平進行*價,并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水�,以保證LED芯片質量� 1、引言 作為電子元器�� 發光二極� (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀�10832014�06�25� 14:53:00摘要:日�,在廣州舉行�2013� LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題�“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發及產業�”的報�,與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀�12702014�06�25� 14:53:00摘要�1.正向電壓下降,暗� A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸,但觸摸電阻�,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成�� B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸,首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾�,散布方�� 別的封裝進程中也能夠形成�
閱讀�14672014�06�25� 14:53:00摘要�1. LED芯片檢驗 鏡檢:材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完� 2. LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(�0.1mm),不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張,使LED芯片�
閱讀�13802014�06�25� 14:53:01摘要:LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹�)覆蓋硅片安放點, 然后將硅� 間接安放正在基底表面� 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為�� 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接
閱讀�17442014�06�25� 14:53:01摘要:一� 研磨首部�——上蠟 LED芯片研磨制程的首要動作即“上臘”,這與硅芯片的CMP化學研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵�(Lapping制程)或陶�(Grounding制程)圓盤�。先將固態蠟均勻的涂抹在加熱�90~110℃的圓盤上,再將芯片正面置放貼附于圓盤,經過�
閱讀�14002014�06�25� 14:53:01摘要:要想得� 大功率LED器件,就必須制備合適的大功率 LED芯片。國際上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下幾種� ①大尺寸�。通過增大單體LED的有效發光面積和尺寸,促使流經TCL層的電流均勻分布,以達到預期的光通量。但�,簡單地增大發光面積無法解決散熱
閱讀�12222014�06�25� 14:53:01摘要:藍寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格,以及與同質襯底相比的成本效益,是 LED開盒即用晶片的卓越材�。在諸如商業和住� 照明等應用不斷增加的需求推動下,為了滿足今后數年里預期的市場增�,LED市場將需要越來越多的低成本LED級藍寶石。藍寶石的高熔點導致
閱讀�12682014�06�25� 14:53:02摘要:藍寶石晶片目前廣泛用作III-V� LED器件氮化物外延薄膜的襯底,然而由于氮化物和藍寶石大的晶格失配和熱膨脹系數的差�,使得在襯底上生長的氮化物材料位錯和缺陷密度較大,影響了器件的發光效率和壽命。圖形化襯底(PSS)技術可以有效地減少外延材料的位錯和
閱讀�31122014�06�25� 14:53:02關注我�
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