“八問八答”全面解密LED芯片知識
摘要�1� LED芯片的制造流程是怎樣�? LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要�1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱�
閱讀�10662014�06�25� 14:52:58
摘要�1� LED芯片的制造流程是怎樣�? LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要�1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱�
閱讀�10662014�06�25� 14:52:58摘要：外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良�(電壓偏差很大，波長偏短或偏長�)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N�)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據不�
閱讀�12242014�06�25� 14:52:58摘要：外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良�(電壓偏差很大，波長偏短或偏長�)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N�)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據不�
閱讀�13552014�06�25� 14:52:58摘要：發光二極體( LED)的發光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源�20%，并具有體積
閱讀�17482014�06�25� 14:52:58摘要�2013�9�5日，首屆“第三代半導體材料及應用發展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南京大學、北京大學、科銳公司、西安電子科技大學等研究機構以及企業的近百名人士參加了此次會議� 蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千先生在會上
閱讀�12292014�06�25� 14:52:59摘要：傳統的氮化鎵（GaN� LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為2"�4"。業界一直在致力于用供應更為豐富的硅晶圓�6"或更大）來發展GaN，因為硅襯底可顯著降低成本，而且可以在自動化IC生產線上制�
閱讀�11672014�06�25� 14:52:59摘要：目前在 LED制程中，藍寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰，但是考慮到成本與良率，藍寶石在近兩年內仍然具有優勢，可以預見接下來藍寶石基板的發展方向是大尺寸與圖案化（PSS）。由于藍寶石硬度僅次于鉆石，因此對它進行減薄與表面平坦化加工非常困難�
閱讀�10582014�06�25� 14:52:59摘要：技術發展和工藝改進，� LED成本大幅度下降，推動了LED應用的全面發展。為進一步提升LED節能效果，全球相關單位均投入極大的研發力量，對LED性能、可靠性進行深入的研究開發，特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術研究方面，已取得突破性成果。對LED發展提出
閱讀�11852014�06�25� 14:52:59摘要：上游芯片技術一直是國內 LED的瓶頸，核心技術大部分都掌握在國外，下面介紹一下芯片制程的工藝� 1. LED芯片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完� 2.LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然�
閱讀�10242014�06�25� 14:53:00
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